WEP电化学ECV掺杂浓度检测CVP21

CVP21支持完整的频谱 材料：

• IV 组半导体，如硅 （Si）、锗 （Ge）、碳化硅 （SiC），或
• III-V族半导体作为镓 砷化铷 （GaAs）、磷化铟 （InP）、磷化镓 （GaP）、…，或
• 三元III-V族合金作为铝 砷化镓（AlGaAs），磷化铟镓（GaInP），铝 砷化铟（AlInAs）…，或
• 四元III-V族合金 铝 磷化铟镓 （AlGaInP）， …， 或
• 氮化物，如氮化镓 氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓 或氮化铝铟（AlInN），或
• II-VI 半导体作为锌 氧化物（ZnO），碲化镉（CdTe），碲化镉汞（HgCdTe， MCT）…，或
• 不太常用的半导体 （请联系我们进行样品测量）。

CVP21支持完整的样品范围：

• 堆叠层没有问题（材料、掺杂和掺杂类型可能会有所不同）。
• 不 关于基材的限制（可以是导电的或绝缘的）。
• 样品尺寸：4*2 mm² 至完整的 8“ 晶圆尺寸为标准尺寸 （可根据要求提供较小的样品）.

CVP21支持完整的分辨率范围：

• 浓度 分辨率< 10^12 cm-3至> 10^21 cm-3 （*）。
• 深度分辨率 1 nm 至 100 μm （*）。

（*） 可能取决于 材料类型/样品质量。请索取样品测量

CVP21是一个 完整的测量系统：

• 高可靠性系统（特别关注电子、机械、光学和流体系统）。
• 免校准系统 （完整的自校准电子系统 – 无需电缆 电容校准）。
• 易于使用（软件 通过全面的用户管理进行优化 – 易于在生产中使用 如在实验室环境中）。
• 晶圆步进（完整 可选配晶圆步进器 – 用于处理多个测量 在完全自动化的晶圆上）。
• 相机控制（过程 由彩色相机在线控制 – 在每个测量相机之后 数据以胶片格式提供）。
• 配方（测量配方 是预定义的，可以由具有更高优先级的用户轻松修改）。
• 干进/干：自动装/卸/重装（装/卸、重装） 的电化学电池是自动化的，并且可以通过 具有更高优先级的用户。样品以干进/干处理）。

WEP电化学ECV掺杂浓度检测CVP21主要特点

• 1. ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布；
• 2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点；
• 3.WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；
• 4. CVP21所能测量的深度范围是nm—10um;
• 5. 测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准；
• 6. 测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；
• 7. 其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；
• 8. 从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深；
• 9. 表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；
• 10. 浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；
• 11. 结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；
• 12. 参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线；
• 13. 广泛的客户群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰阳，BYD，海润，晶科，吉阳，南玻，格林保尔…

本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.

CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制

CVP21的系统特点
• 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．
• 精确的测量电路模块
• 强力的控制软件，系统操作，使用简便
• 完善的售后服务体系

CVP21 可以交付：

• 可作为桌面单元 （宽 60 厘米，深 80 厘米，PC 的额外空间、显示器、键盘、 需要打印机和排水管），
• 或 占地面积为 60*80 cm 至 最大限度地减少洁净室的空间需求。

CVP21 安装要求：

• 氮气或干燥空气，压力可调 2..5 bar， 带ID4 / OD6mm的试管（用于在 测量），
• 排气， 管内径为 3/4“（允许使用难闻的电解质操作，e. g. 铵基电解质），
• 真空 度通常为 0.2 bar，管内径为 ID4/OD6mm（用于在晶圆罩上容纳较大的样品），以及
• 230V（-15%/+10%），50-60Hz，500VA-1000VA（电压100V/110V可选） 可用）。

CVP21的系统特点：

• 坚固可靠的模块化系统结构，光学、电子和化学部分相对独立；
• 精确的测量电路模块；
• 强力的控制软件，系统操作，使用简便;
• 完善的售后服务体系;
• 提供免费样品测试并提供测试报告。
• 保修期：2年，终身维修。
• 对用户承诺终身免费样品测试，每月1次。

技术参数：
CVP21电化学CV剖面浓度分析仪完美结合了WEP在电化学方分布测试方面超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。全自动，特别适用于新材料，如氮化镓、碳化硅材料等。
可有效检测：外延材料、扩散、离子注入。
载流子浓度测量范围：1011/cm3~1021/cm3 ；
深度分辨率：低至1nm；
模块化系统结构：
– 拓扑型结构；
– 实时监控腐蚀过程；
– 适于微小样品及大尺寸的晶圆；
– 全自动化系统；

主要特点：
CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布完美的解决方案：
1.  CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。
– IV族半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…
– III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…
– 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…
– 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…
– 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…
– II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…
– 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。
2.  CVP21可测试不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。
3.  CVP21拥有很好的分辨率范围：
* 载流子浓度分辨率范围从< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定)
4.  CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统：
* 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计)
* 免校准的系统(完全自校准的电子系统，电缆电容均无须用户再次校准)
* 易于使用(全用户管理软件优化，在实验室环境或生产环境均易于使用)
* 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制；每次测量后，镜头数据均可取出。)
* 实验菜单(测量菜单预定义，优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载，优先权用户易于修改，进行样品dry-in/dry-out处理。)

CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制

CVP21的系统特点• 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．• 精确的测量电路模块• 强力的控制软件，系统操作，使用简便• 完善的售后服务体系

ECV/结深测试仪/扩散浓度分选仪德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。