TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统
荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。
荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统，在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。
TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统
产品描述：荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。
荷兰TWente Solid State Technology BV（TSST）公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统（PLD），以及相关薄膜制备解决方案，公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。
TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作，开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。
脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。
PLD工作原理图
激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。
在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控，曾是RHEED分析的一个重要难题，TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控—TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的发明人，在系统制造和RHEED的使用，以及结果分析方面，有丰富的经验。
标准激光分子束外延系统 （LMBE）
脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。
TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统应用领域：
单晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）
压电薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）
铁电薄膜（BaTiO3，KH2PO4）
热电薄膜（SrTiO3）
金属和化合物薄膜电极（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）
半导体薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）
高K介质薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）
超导薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）
光波导，光学薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）
超疏水薄膜（PTFE）
红外探测薄膜（V2O5，PZT）
外延薄膜展示
TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统产品优势
荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统，脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。
