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TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。

荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统,在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击,利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来,再沉积在不同的衬底上,从而形成薄膜。

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

产品描述:荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。

荷兰TWente Solid State Technology BV(TSST)公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统(PLD),以及相关薄膜制备解决方案,公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。

TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作,开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。

脉冲激光沉积原理:在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击,利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来,再沉积在不同的衬底上,从而形成薄膜。

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

PLD工作原理图

激光分子束外延系统(LMBE),是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。

在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控,曾是RHEED分析的一个重要难题,TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控—TorrRHEED,TSST是TorrRHEED的发明人,在系统制造和RHEED的使用,以及结果分析方面,有丰富的经验。

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

标准激光分子束外延系统 (LMBE)

脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金属薄膜,磁性材料等。

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统应用领域:

单晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3

压电薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3

铁电薄膜(BaTiO3,KH2PO4

热电薄膜(SrTiO3

金属和化合物薄膜电极(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3

半导体薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3

高K介质薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5

超导薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)

光波导,光学薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2

超疏水薄膜(PTFE)

红外探测薄膜(V2O5,PZT)

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

外延薄膜展示

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统产品优势

荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统,脉冲激光沉积原理:在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击,利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来,再沉积在不同的衬底上,从而形成薄膜。激光分子束外延系统(LMBE),是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。