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TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

大面积PLD,大面积LMBE,荷兰TSST公司开发的大面积脉冲激光沉积系统,可实现晶圆级薄膜外延生长。

荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统,在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击,利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来,再沉积在不同的衬底上,从而形成薄膜。

荷兰TWente Solid State Technology BV(TSST)公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统(PLD),以及相关薄膜制备解决方案,公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。

TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作,开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。

大面积脉冲激光沉积实现原理:利用激光在条形靶材表面的扫描,实现大面积的薄膜生长;

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

靶材台展示:

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

大面积样品加热台展示:

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

样品生长结果(YSZ on Silicon):

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统