Sentech原子层沉积ALD设备

Sentech原子层沉积ALD设备

原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。

SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 

SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。

 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。

 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。

Sentech原子层沉积ALD设备的优势

用于敏感衬底的PEALD

真远程等离子体源能够在低温<100°C下高均匀度和高保形性地覆盖敏感衬底和膜层，在样品表面提供高通量的反应性气体，而不受紫外线辐射或离子轰击。

用于工艺研发和改善的实时监测

ALD实时监视仪RTM的原位诊断实现了单一ALD循环的超高分辨率。优点是确认ALD范围，减少处理时间和总生产成本。采用椭偏光谱、QCM和QMS进行原位诊断，也是我们原子层沉积设备的优点。

简易的腔体清洗

定期反应腔体清洗对于稳定和可重复的原子层沉积工艺是必不可少的。借助于用于清洗原子层沉积系统的升降装置，可以容易地打开反应腔体。

集成手套箱

SENTECH原子层沉积设备与各种供应商的手套箱兼容。

多腔集成

原子层沉积设备可作为SENTECH多腔系统的一个模块。我们的原子层沉积设备可以与SENTECH PECVD和蚀刻设备结合用于工业应用。可选的多腔系统也具备片盒到片盒装片的特点。

SENTECH原子层沉积设备实现了热ALD和等离子体增强ALD操作。ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD，SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉积到数微米的薄膜沉积。

SENTECH ALD设备实现了热ALD和等离子体增强ALD膜交替沉积多层结构。热ALD和等离子体增强ALD可在同一个反应腔体中用快门来切换。

SENTECH提供了前沿的快速原位监测技术，实时监测和广泛范围的光谱椭偏仪可逐层监测薄膜生长。