Plassys磁控溅射镀膜系统
磁控溅射镀膜仪是一种普适的薄膜沉积系统，用于各种单层膜、多层膜以及掺杂薄膜的制备。磁控溅射沉积薄膜的特点是成膜速率高、基片温度低、薄膜与基底的粘附性好，而且可实现大面积镀膜。磁控溅射仪可以生长Ag、Pt、Au等金属薄膜及合金薄膜、半导体薄膜、介质薄膜等，用于新型薄膜材料和微纳器件的制备。
Plassys磁控溅射镀膜系统
溅射系统 高压/特高压
所有类型的机器
- 圆柱形或平行六面体腔室，带前门或顶盖
- 标准腔室：直径 350、400、450、600、900 mm
- 单晶圆或暗盒负载锁定
- 矩形或圆形直流和射频阴极
- 溅射上/下配置
- 用于共聚焦系统的簇，真正的共溅射
- 反应和非反应溅射
- 静态或动态沉积，行星和双行星旋转，振荡
- 沉积前和沉积期间基板上的射频偏置
- 基板温度高达1000°C
多靶共焦溅射镀膜设备（用于半导体膜、介电膜制备）
单层膜、多层膜、半导体、光电子学、光子学、微机电系统、MEMS、微流体技术、磁性膜、光学膜、金属膜、绝缘膜、半导体膜、共溅射，连续沉积、进口磁控溅射、SiO2、ZrO2、TiO2、DC靶、RF靶
型号：MP500S， 产地：欧洲 ， 应用：沉积AlN、Si3N4，TiN薄膜，抗腐蚀硬质膜，半导体膜，氧化物绝缘层等。
反应磁控溅射镀膜仪是微米纳米器件制备的必备设备，可用于制备普通金属薄膜，氮化铝(AlN)压电薄膜，Si3N4薄膜，TiN薄膜，抗腐蚀硬质膜，半导体薄膜，氧化物绝缘层等，适用于半导体，光电子学，光子学，微机电系统（MEMS）和微流体技术等领域。
MP500S 配置 如下：
- 腔体尺寸：内径500mm、高度400mm，电解抛光不锈钢腔体
- 真空系统：采用1000l/s分子泵（可选择低温泵）+30m3/h机械泵
- 配备薄膜真空计、潘宁/皮拉尼真空计
- 磁控阴极：3个3英寸磁控阴极，
- 与样品台的距离手动可调（8-13cm）
- 每个阴极配备一个 圆柱形挡板，防止 污染
- 每个阴极配备一个电气阀
- 每个阴极都可以是直流或射频模式（可选）
- 阴极电源：一个300W 13.56MHz射频电源（可以升级到2kW）
- 射频转换开关可用于溅射或衬底清洗
- 一个700W 直流电源
- 允许共溅射或顺序溅射（可达6种材料）
- 反应气路：2条气路（Ar和另外一条），每个气路配备MFC
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衬底尺寸：最大可加载4英寸衬底
-
衬底可旋转，转速可达10rpm
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采用电阻加热可达700℃，配置水冷系统
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刻蚀及偏压：射频阴极电源用于提供样品台偏压
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直流溅射与射频偏压兼容
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Load Lock（可选）：采用Al合金腔体，手动样品传动臂。
- 采用5m3/h干泵抽气
- 配带皮拉尼真空计
- 控制系统：全自动控制，半自动和手动模式可用
- 支持多级用户权限设置和管理
- 支持设备远程操作、监控、诊断和维护
- 系统自动报警及定位故障
磁控溅射用于单层膜/多层膜/磁性膜制备
单层膜、多层膜、磁性膜、光学膜、金属膜、绝缘膜、半导体膜，连续沉积、进口磁控溅射、SiO2、ZrO2、TiO2、DC靶、RF靶
型号：MP 900S 产地：欧洲 应用：单层膜、多层膜、磁性膜
- 配置多个可更换金属靶：Ni, Pt, Al, NiCr, Au, Ge, Ti, TaN
- 衬底双行星运动，最大可加载4英寸衬底
- LOAD LOCK及主腔体均配备分子泵和干泵
- 可沉积多层膜，可原位应力检测
- 应用于X-射线等领域.
- 6个高度可调阴极磁控管
- 3个1.5kW直流靶，3个1kW射频靶
- 氩气、氧气、氮气气路，分别配备MFC
- 全自动电脑控制，半自动和手动模式可用，支持远程维护
直流磁控溅射镀膜系统
镀膜、金属膜、Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Au, Nb, W, Pd, Pt, Mo
- 可在导体或绝缘体上溅射任何薄膜
- 气路：Ar气路配搭MFC
- 阴极：3个4英寸直流磁控管，一个加强磁控管用于Ni，一个6英寸磁控源
- 靶材： Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Au, Nb, W, Pd, Pt, Mo
- 直流电源：200mA-1A（1千瓦功率）
- 衬底偏置：等离子刻蚀，20-250W（RF ）
- 样品台：可接纳4个4英寸衬底，衬底可旋转
- 真空泵：前级泵+低温泵
- 全自动、半自动、手动模式
- 支持远程维护和操作
金属膜/氧化膜专用磁控溅射系统（RHEED/等离子体清洗）
单层膜、多层膜、磁性膜、光学膜、金属膜、绝缘膜、半导体膜，连续沉积、进口磁控溅射、SiO2、ZrO2、TiO2、RHEED
型号：MP800S 产地：欧洲 应用：金属膜、非金属膜制备
- 圆柱形主腔体：电抛光不锈钢
- 低温泵+干泵
- 三个6’’ DC磁控靶源，最大可达8英寸；
- 分别配备独立挡板，无交叉污染。
- RF加载到DC靶源可选，可用DC/RF。
- 氩气和氮气气路可用
- 4’’衬底加热；单色光学高温计
- 样品台冷却：水冷
- 石英晶振监测（DC/RF模式下均可）
- 衬底：RF刻蚀及偏压（13.56MHz，气冷）
- LOAD LOCK （带自动传动手臂）
- 分子泵+干泵
- 全自动传动衬底
- 原位分析处理：RHEED (反射高能电子衍射)+等离子清洗/离子束清洗 Ion milling
- 控制单元：全自动电脑控制，半自动和手动模式可选；远程维护可用。
多阴极磁控溅射镀膜仪 (confocal sputtering system)
金属薄膜，氮化铝、压电薄膜、AlN、Si3N4薄膜、MEMS，TiN薄膜，抗腐蚀硬质膜，半导体薄膜，氧化物绝缘层
型号：MP450S， 产地：欧洲 ， 应用：沉积硬质膜，半导体膜，氧化物绝缘层等。
反应磁控溅射镀膜仪是微米纳米器件制备的必备设备，可用于制备普通金属薄膜，氮化铝(AlN)压电薄膜，Si3N4薄膜，TiN薄膜，抗腐蚀硬质膜，半导体薄膜，氧化物绝缘层等，适用于半导体，光电子学，光子学，微机电系统（MEMS）和微流体技术等领域。
- MP450S 配置 如下：
- 腔体尺寸：内径450mm、高度400mm，电解抛光不锈钢腔体
- 真空系统：采用1000l/s分子泵（可选择低温泵）+30m3/h机械泵
- 配备薄膜真空计、潘宁真空计
- 磁控阴极：2个3英寸DC/RF磁控阴极，可倾斜最大35°
- 与样品台的距离手动可调（8-13cm）
- 每个阴极配备一个 圆柱形挡板，防止污染
- 每个阴极配备一个电气阀
- 阴极电源：一个500W,800V，0.9A， 13.56MHz射频电源（可以升级到2kW）
- 允许共溅射或顺序溅射
- 反应气路：3条气路（Ar、N2,、O2），每个气路配备MFC
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衬底尺寸：最大可加载6英寸衬底
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衬底可旋转，转速可达10rpm
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采用电阻加热可达300℃(更高温度可选)
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刻蚀及偏压：300W 频率12.56MHz射频源
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射频阴极电源用于提供样品台偏压
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射频与旋转和加热机构兼容
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Load Lock（可选）：采用Al合金腔体，手动样品传动臂。
- 采用主腔体粗抽泵抽真空
- 配带皮拉尼真空计
- 控制系统：全自动控制，半自动和手动模式可用
- 支持多级用户权限设置和管理
- 支持设备远程操作、监控、诊断和维护
- 系统自动报警及定位故障
