Plassys微波等离子化学气相沉积系统MPCVD

反应器特性

• 高功率密度等离子体
• 高达 400 mbar 或更高的高工作压力
• 6 kW 微波发生器（开关模式电源）
• 4 条天然气管线（可根据要求提供附加管路）
• 2“ 基板支架
• 生长过程中基板载体的自动高度调整（可选）
• 生长过程中的基材纺丝（可选）
• 易于装载/卸载基材
• 双基红外高温计 （475 – 1475 °C）
• 涡轮分子泵+干式主泵
• 基本反应器压力：2×^10-7毫巴
• 全自动化流程
• 维护成本低

聚晶石钻石

• PL @液氮温度下无可见氮气

单晶金刚石

• 在PL @液氮温度下无可见氮中心
• 低浓度的单取代氮[N_S⁰]（通过EPR测量）
• 拉曼钻石线的FWHM 在 1332 cm-1 ： 1.6 ^cm-1
• 4000 至 10000 ^cm-1 无红外吸收
• 生长速度高达 10 μm/h，具体取决于生长条件

MPCVD 设备用于金刚石单晶生长及掺杂研究（研发型）

型号：BJS150， 产地：欧洲

• 主要技术指标：
• 微波发生器：6 KW, 2.45GHz，脉冲功率模式可选
•                   Ripple 2% at full power,
•                   stability 1% at full power.
• 钟罩型腔体：非常适合生长单晶和掺杂。 
•                   支持高功率密度等离子体
• 工艺气压：高达300mbar或更高
  生长速率：高达50μm/h
• 气      路：4条基本气路，分别为H2, O2, CH4, Ar;
•                可以最多增加额外3条气路
• 样 品 台：适合两英寸衬底，高度精密可调，衬底旋转可选
• 温度测试：采用双色红外高温计，范围475℃-1475℃
•               精度  ≤±10℃。
• 真空系统：采用分子泵+干泵
•                真空度≤5×10^-7mbar
•                漏率 ≤10-9 mbar/l/s.
• 控制系统：配套有全自动控制系统、工业电脑、必要的数据接口及操作软件；
•               支持多级用户权限设置和多用户管理，系统支持设备的远程操作和维护；
•               系统含故障报警及定位功能，能及时提示相应故障部件。
•               支持半自动和手动操作模式。
•  
• 设备应用：具备多种用途，以满足用户科研需要；
•              适合生长杂质浓度低于1ppb的超高纯度单晶，且有大量专业科技文献佐证；
•              适合金刚石掺杂（硼、磷等）研究及光学级多晶窗口生长。
•  
• 工艺培训：原厂工程师现场演示金刚石生长，包括种子选择、种子预处理、
•               种子的固定及生长工艺等培训，并现场演示单晶生长；
•  原厂需具有高水平和丰富的金刚石生长工艺经验。

微波等离子体化学气相沉积系统-MPCVD（科研/小批量生产型 ）

• 腔体：铝合金腔体，内含石英管反应室；可以长时间满功率运行。
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• 微波发生源：频率为2.45GHz、功率为6KW，LCD数显微波入射和反射功率。
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• 4条气路：分别为氢气、甲烷、氧气、氮气
•              可以增加额外3条气路、可以选择气体（B、N、P）或液体（P）掺杂。
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• 样品台： 水冷，可以容纳2英寸衬底；
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• 测温系统：采用双色高温计；
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• 真空系统：干泵+分子泵。
•  
• 可以选配： 光谱仪，样品台旋转功能，微波发生源脉冲模式，3-4英寸样品台
•  
• 控制系统：配套有全自动控制系统、工业电脑、必要的数据接口及操作软件；
•               支持多级用户权限设置和多用户管理，系统支持设备的远程操作和维护；
•               系统含故障报警及定位功能，能及时提示相应故障部件。
•               支持半自动和手动操作模式。
•  
• 设备应用：具备多种用途，以满足用户科研需要；
•              适合生长杂质浓度低于1ppb的超高纯度单晶，且有大量专业科技文献佐证；
•              适合一次性生长厚单晶以及多种子生长；
•              适合金刚石掺杂（硼、磷等）研究及光学级多晶窗口生长。
•  
• 工艺培训：原厂工程师现场演示金刚石生长，包括种子选择、种子预处理、
•               种子的固定及生长工艺等培训，并现场演示单晶生长；
•               原厂需具有高水平和丰富的金刚石生长工艺经验。

微波等离子化学气相沉积设备（MPCVD system）产品特点：

• 1、独特的腔体设计及耦合方式，为等离子球的均匀性及铺展性提供了可靠的保障。
• 2、独特的天线设计使得plasma-wall几乎无反应，可获得高纯度的等离子体，从而合成高纯度金刚石薄膜。
• 3、独特的能够供给方式，功率：6KW ,35KW；根据不同的微波功率，生长速度可控：5-50 μm/hr。
• 4、可用于沉积高品质单晶（single crystal diamodn/homoepitaxy growth）、多晶（polycrystalline diamond）、纳米晶（namocrystalline diamond）；
• 5. 用我们的设备可以沉积大面积光学级金刚石薄膜(PCD for high power laser output window and high power microwave window)：可达直径8英寸以上，厚度可达几个mm；
•     也可以获得高纯度单晶金刚石(SCD)，N含量可以达到ppm，ppb，甚至是无杂质无色透明单晶;
•     也可以进行掺杂研究(for N-dopingP-dopingB-Doping as P-type or N-type semiconductors)
•     还可以进行多种子同时沉积，进行大规模单晶金刚石生产（Multiple-seeds growth）。
• 该设备可用于工具级、热沉级、光学级、电子级大面积高品质金刚石薄膜的合成。欢迎新老客户咨询，本公司将为您的科研、生产量身推荐最适合的设备配置，提供更详细的工艺生长计划！
• With our MPCVD system, you can grow single crystal diamond （SCD）/ monocrystal diamond which has the lowest inpurity. And you can also grow large polycrystalline diamond （PCD）for high power laser window or high power microwave window, the diameter ranges from 4 to 8’’ or even larger, and the thickness is from 1mm to several mm.

热丝化学气相沉积系统（HFCVD）-纳米晶金刚石薄膜制备

热丝化学气相沉积(Hot Filament Chemical Vapor Deposition System namely HFCVD)方法常常应用于工具表面的金刚石涂层、热沉金刚石片及自支撑超纳米晶金刚石薄膜的合成；其应用于机械工具、微机电系统（MEMS）,光学窗口等。

我们提供热丝化学气相沉积系统（HFCVD system），适合于：

• 1. 合成各种厚度和大面积的超纳米晶(ultra-nanocrystalline diamond coating/film/wafer；UNCD)、纳米晶（nanocrystalline diamond coating/film/wafer；NCD）、微米晶(microcrystalline diamond coating/film/wafer；MCD)金刚石；有效沉积面积最大可以达到0.5m²；
• 2. 可以在不同工具形状表面沉积，例如沉积3D diamond coatings 或者diamond dome；
• 3. 也可以用于掺杂研究（例如B-doping ），或多层膜结构研究及生产；
• 4. 应用于各种领域，例如cutting tools，metrology，thermal management等。