Menu

Menu

美国SLAC国家实验室:飞秒激光,探索拓扑绝缘体的新思路

Original 徐睿编辑 激光评论 2022-10-09 11:30 Posted on 上海

作为一种新型量子材料,拓扑绝缘体(TIs)因其自身特殊的原子结构,成为低能耗技术理想的备选材料;而对TIs表面态的观测方式,也一直是研究人员关注的重点。

近日,来自美国SLAC国家加速器实验室斯坦福大学的研究团队,提出了一种利用圆偏振超快激光激发高次谐波(HHG)来实现拓扑相变观测的新方法。该团队通过原子替代的方式,改变了拓扑绝缘材料硒化铋(Bi2Se3)的拓扑相,并对比了不同拓扑相下圆偏振激光所驱动的HHG表现。实验结果表明,该方法能够简明有效地实现对不同拓扑相的区分。

摩尔定律:不是终结,是新开端

摩尔定律告诉我们一个技术发展的客观规律:每过18个月,集成在芯片上晶体管的数目就会翻一番;但随着晶体管数目的一再增加,半导体在使用过程中会发热的缺陷开始被极度放大,芯片的集成规模无法承受过多的热量。

就在摩尔定律被认为即将走向终结的时刻,华裔物理学家张首晟提出了打破僵局的新思路:在量子自旋霍尔效应的基础上,他预言并发现了一种新型量子材料:TIs。作为一种体态绝缘,表面态导电的材料,TIs能够为电子的传输建立一条“高速公路”,避免因电子碰撞及其他行为所导致过多的热量耗散出现。TIs 的特殊能带结构使得电子像行驶在高速公路上的汽车一样,沿其表面边缘自由流动而无法流经材料内部。

美国SLAC国家实验室:飞秒激光,探索拓扑绝缘体的新思路

图1 受圆偏振激光探测的拓扑绝缘体,电子(白点)在其表面流动

(图源:Greg Stewart/ SLAC National Accelerator Laboratory)

由于具有受时间反演对称性保护的表面态, TIs能够抑制一些无序以及非磁性杂质的后向散射,并允许自旋电流的存在;这为从无耗散电荷传输到容错量子计算的一系列科学猜想提供了理想的实验平台。而为了更好地理解TIs运行时的物理机制,推动其在自旋电子、量子计算以及低损耗电子传输等技术领域的应用发展,一种高效且通用的探测手段就显得极为重要。

在过往对TIs的研究中,对拓扑相变的探究一直是备受关注的研究难点,研究人员往往需要借助自旋和角分辨光电子能谱(s-ARPES)技术,才能对材料的性质进行深入的探究;但这项技术对样品表面以及实验环境都有着较高的要求,为进一步的研究带来了桎梏。而本文所介绍的研究工作则一改之前的研究方式,通过圆偏振飞秒激光激发HHG,对TIs材料进行相变探测研究;相较于s-ARPES来说,该方法对样品及样品环境有着更高的兼容特性,并且能够进行较好的拓展。

飞秒激光器成为驱动光源

该工作采用经典的拓扑绝缘材料Bi2Se3作为实验的验证对象,并通过铟(In)原子替代的方式实现了非平庸拓扑相向平庸拓扑相的转变(铟原子替代率4%时开始失去其拓扑能力,至20%时完全失去)。基于非平庸和平庸拓扑相的Bi2Se3,研究人员验证了中红外(MIR)圆偏振飞秒激光这种新型探测手段对于拓扑相探测的可靠性。本实验使用了工作波段为5.1 μm,脉冲宽度为100 fs的飞秒激光器作为驱动HHG产生的光源。
美国SLAC国家实验室:飞秒激光,探索拓扑绝缘体的新思路
图2 圆偏振光场驱动HHG对Bi2Se3拓扑相变的探测原理

图2对本工作所涉及的实验原理进行了简要解释。其中,图2(a)分别探究了非平庸和平庸拓扑相变的掺杂节点,以及不同拓扑相在HHG激发时所表现出对激光圆偏振度的依赖关系。图2(b)则展示了不同拓扑相所激发高次谐波的强度曲线;事实上,除了第五和第六次谐波之外,两种拓扑相在其他高次谐波下并未显示出比较明显的差异。

基于此结果,研究人员对飞秒激光所驱动产生的第五和第六次谐波进行了细致的探究,他们发现对Bi2Se3表面层反转对称性的破坏,会直接导致偶次和奇次谐波的发射[图3(a)~(c)]。此外,研究人员还发现,无论是样品晶体相对于光束的偏折角度,还是飞秒激光自身的偏振状态,都会对最终测得的结果产生影响[图3(d) ~(e)]。本工作分别从实验测量以及仿真验证的角度,展现出对拓扑相变的测试结果。我们可以通过测试图例清晰对比出相变发生前后的差异,从而完成对于拓扑绝缘体材料相变的捕捉。
美国SLAC国家实验室:飞秒激光,探索拓扑绝缘体的新思路
图3 与驱动激光偏振状态相关的高次谐波结果对比
此外,该工作还探究了驱动光源激发高次谐波的场强阈值,也就是高次谐波显示所需要最低的场强规律,最终结论如图4所示。随着场强的变化,更高次谐波会发生极其明显的变化,在实际测试中,根据所需对比谐波的具体阶数选择出一个合适的场强,能够对实验结论的获得产生直观的支撑作用。
美国SLAC国家实验室:飞秒激光,探索拓扑绝缘体的新思路
图4 对驱动激光场强阈值的探究

HHG的引入,不仅使得材料内部电子的动力学行为变得易于观测,而且降低了对相变过程标记和区分的技术难度。这项工作的领导者,来自SLAC国家加速器实验室的博士后研究员Christian Heide在接受采访时谈到:“Bi2Se3材料在受到激光激发后所产生的HHG,不仅放大了我们想要看到的测量结果,而且能够对TIs材料中发生的非线性动力学行为保持较强的敏感性。此外,这种探测手段可以在任何一个实验室中搭建应用,相较于之前的方法来说,它使得材料的探索过程变得更加简易”。而本项研究的另一位主要参与者Shambhu Ghimire也补充表示:“这些实验结果令人感到兴奋,因为它们带来了对拓扑相变切换过程进行观测的可能性,就好比一台拥有极快快门速度的相机能够捕捉到细微痕迹一样”。

而未来,这项研究成果的应用潜力更加值得期待。正如Shambhu Ghimire所说:“本项工作以相对较小且价格较低的超快激光装置,实现了对于拓扑相变过渡过程的捕捉记录,并可对相关的电子动力学行为进行实时观测研究。而这种全光探测的方法象征着一种新的可能性,我们相信它具有广泛的潜在应用,这也是我们计划在未来实验中探索的东西”。

采访资料来源

https://researchnews.cc/news/14919/Exploring-quantum-electron-highways-with-laser-light#.YwXiC3FBxPZ

论文链接:

https://www.nature.com/articles/s41566-022-01050-7

科学编辑 | 佚名

编辑 | 徐睿

免责声明:本文旨在传递更多科研资讯及分享,所有其他媒、网来源均注明出处,如涉及版权问题,请作者第一时间联系我们,我们将协调进行处理,最终解释权归旭为光电所有。