MBE-Komponenten紧凑型MBE系统OCTOPLUS 300
OCTOPLUS 300 紧凑型专业分子束外延系统，适合小尺寸样品的基础表面物理和材料科学研究，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长，应用于III/V族， II/VI族，单质金属，磁性材料，拓扑绝缘体，二维纳米材料等材料生长
OCTOPLUS 300是一款多用途且功能完善的紧凑型MBE系统，非常适合小尺寸样品的薄膜材料生长。设计虽然紧凑，但是可以装配多个不同种类源炉，实现各种材料的外延薄膜生长。
MBE-Komponenten紧凑型MBE系统OCTOPLUS 300特点：
- 紧凑、多功能的研究 MBE 系统，占地面积小
- 应用：II-VI、III-V、IV-IV、金属、磁性材料、拓扑绝缘体、纳米线生长、氧化物、有机材料
- 9 个源端口 DN40CF（外径 2.75 英寸）或 8 个源端口（2 个 DN63CF（外径 4.5 英寸）、6 个 DN40CF（外径 2.75 英寸））
- 广泛的源选项
- 样品尺寸：标志样式 10×10 mm 2、1” 或2” 晶圆
- 特高压泵送系统，基本压力< 5 x 10-11 毫巴
- 不锈钢LN2冷却罩
- 低能耗和LN2消耗
- 原位监测能力
- MBE博士专家的大力支持
我们可以根据客户需求，提供不同种类的蒸发源，包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。
OCTOPLUS 300 系统非常适合小样品上的材料沉积。它提供了良好的通道和易于操作和维护。OCTOPLUS 300 的腔室设计加上各种最先进的组件，可实现逐层精确的 MBE 生长。
OCTOPLUS 300 的突出特点是系统的高可靠性和多功能性以及占地面积小。这些功能使OCTOPLUS 300系统特别适合研发应用。尽管如此，也涵盖了特定的生产过程。
OCTOPLUS 300 的标准版本包括 8 个源端口、4 个 5.63 英寸 （DN2CF） 端口和 75 个 40.10 英寸 （DN<>CF） 法兰尺寸端口。通过使用源集群，最多可将 <> 个源集成到系统中。带有水平工作的传输杆系统的快速抽空负载锁定室允许用户轻松引入基板，而不会破坏 MBE 室的真空。
我们根据所有客户的要求提供不同种类的积液池、带阀裂解器源、气源和基质机械手。通过使用光束通量计、高温计、RHEED 系统或四极杆质量分析仪 （QMA） 获得易于管理的原位表征。
我们很乐意讨论您的MBE系统规格，并为您的应用提供专业建议。不要犹豫与我们联系。
OCTOPLUS 300 的选项：
- 额外的负载锁定或缓冲室
- 晶圆传输系统
- 2 cm³、10 cm³、35 cm³、60 cm³ 积液池、源簇、电子束蒸发器、裂解器和带阀裂解器源、机械手、电源和控制单元
- 泵送系统（离子吸气泵、涡轮泵、低温泵等）
- 控制系统
- 原位表征工具，例如离子计、石英、高温计、RHEED、QMA
MBE-Komponenten紧凑型MBE系统OCTOPLUS 300数据
| 沉积室 尺寸 |
300毫米内径 |
| 基础压力 |
< 5×10-11 毫巴 |
| 泵 | 涡轮泵、离子吸气泵和 TSP |
| 冷却罩 | LN2 或水冷 |
| 基板加热器温度 | 最高 1200°C |
| 子状态大小 | 小型样品板或最大 2“ 晶圆 |
| 烘烤温度 | 最高 200°C |
| 源端口 | 9 个端口 DN40CF 或 8 个端口（2 个 DN63CF、6 个 DN40CF） |
| 源类型 |
积液池、电子束蒸发器、升华源、阀裂解器源、气源 |
| 百叶窗 |
软作用旋转百叶窗 |
| 原位监测 | 离子计，QCM，高温计，RHEED，QMA |
| 样品转移 | 线性传输杆（手动） |
| 负载锁定 | 带 6 个基板涡轮泵送的弹匣 |
| MBE控制软件 | 霹软 |
| 服务 | 系统安装和验收测试 |
| MBE培训 | 由MBE专家提供 |
Examples for applications and corresponding sources
| Effusion Cells WEZ, NTEZ OME, HTEZ |
Sublimation Sources SUKO, SUSI HTS, DECO |
Valved Sources VACS, VGCS VCS, VSCS |
Plasma Sources | E-Beam Evaporators EBVV |
|
| III/V | Ga, In, Al | C, Si doping | As, P, Sb | ||
| II/VI | Zn, Cd, Be | S, Se, Te | N-doping | ||
| IV | Ge, Sn, Pb | B, P, Sb doping | Si, Ge | ||
| GaN | Ga, In, Al | N | |||
| Metals | Cu, Al, Ni, Co, … | Pt, Ta, Pd, Mo, W | |||
| Topological Insulators | Ge, Sn, Te, Bi, GeSb | Se, Te | B | ||
| Graphene / Silicene | C, Si | ||||
| Oxides | Fe, Ni, Mn, Bi, Eu, Ga, … |
O | |||
| Thin Film Solar Cells | Cu, Ga, In, Zn, NaF, Fe, Sn |
S, Se |
Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH 的产品范围和质量得益于其团队成员多年的积极研究经验。
现在，我们回顾了大约30年来为化合物半导体材料的应用研究和生产中的多项任务开发和制造复杂系统和组件。每个产品都由我们的MBE专家在内部组装和仔细测试。
