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(激光/EUV/X-Ray/电子/离子)束辅助化学束外延系统 – GMMBE/MOMBE

化学束外延起源于上个世纪80年代,它结合了分子束外延(MBE)和化学气相沉积(CVD)技术的优点,适用于生长III-V族半导体薄膜,也可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉积, 以及氧化物薄膜,包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。

化学束外延借用CVD(反应前驱体分子通过气相传输到加热衬底上)及MBE(前驱体流分子束本质——分子轨迹视线)的概念。一般说来,化学束外延的真正价值在过去并未得到承认,大多数熟悉这种技术的人都发现化学束外延很复杂,并且上世纪90年代化学束外延的各种优势的结合未被完全挖掘,而这种结合却是现在制造复杂设备的关键所在。目前,我们代理的设备是经过20年的持续不断研发,将设简单易用、工艺优化、所有的优点和设施集中于一套可靠的设备中。

(激光/EUV/X-Ray/电子/离子)束辅助化学束外延系统 - GMMBE/MOMBE

       实验证明化学束外延具有显著的优点,例如:

•    可控多元素材料沉积及掺杂,例如GaAsInP

•    6’’衬底均匀性:无旋转+/-1.5%,旋转+/-0.5%                     •    沉积大面积薄膜:直径100mm – 450mm或更大

•    前驱体转化率高,生长速率10 nm/h至20μm/h                       •    欧盟项目支撑: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM

•    已经商业化薄膜: TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2            •    超高真空原位诊断技术、自组装结构、工艺温度很低

•    可以一步实现复杂形状和(成分/厚度)梯度薄膜材料    •    无气相反应、工艺灵活(从外延生长到高度多孔材料)

•    (激光,EUVX-ray)光束/离子束/电子束辅助沉积, 用于3D打印、复杂材料堆栈、

          组织/晶相/成分选择性调控、 改善外延和材料性能、降低热应力和晶格失配

 

设备配置:

1.       热漆外框架容纳所有元件,标准RAL7035颜色;          2.       支持多达6种前驱体,专有热源技术可达200℃;

3.       主要反应腔体采用可调热内壁,圆柱形液氮冷阱围绕样品台;可远程控制,电脑监控各种参数;

4.       辐射加热衬底最低温度可达700℃,其他加热器支持衬底最高温度可达1400℃;

5.       真空系统用组合泵:250l/s分子泵+10m3/h干泵;       6.       配备全自动Load-Lock,等离子体清洗功能可选。

7.       在样品生长过程中激光/电子/离子束辐照单元。

8.      可逆组装:(无衬底旋转)均匀性优于±2%,(有衬底旋转)均匀性优于+/-0.5%;组合配置用以生长梯度样品:

厚度梯度支持1个前驱体,化学成分梯度支持2-6个。两种方式通过程序控制切换。

(激光/EUV/X-Ray/电子/离子)束辅助化学束外延系统 - GMMBE/MOMBE