Duma光斑分析仪Beam Analyzer在小于100fs激光光束质量测量
以色列 Duma 光束分析仪
Vol. 26, No. 5 | 5 Mar 2018 | OPTICS EXPRESS 5962的一篇论文:High power sub 100-fs Kerr-lens mode-locked Yb:YSO laser pumped by single-mode fiber laser,详细介绍了由单模光纤泵浦高功率亚100fs克尔透镜锁模Yb:YSO激光器所产生的激光性质,飞秒激光器测量,以及该激光器的工作原理及特点,并分析了飞秒激光光束质量。这种激光器可提供高达2 W的平均功率,脉冲持续时间短至95 fs,重复频率为137.2 MHz,单脉冲能量为14.8 nJ,峰值功率为155.7千瓦 的激光。这个激光器的产生,证明了掺镱硅酸钇晶体(Yb:YSO)具有产生小于100fs脉冲,多瓦级平均功率激光的潜力。
激光内部结构的示意图如图所示。在改进的X-折叠实验中采用了七镜无棱镜腔。C1和C2为具有100 mm曲率半径(ROC)的二向色凹面镜,这个镜片在1020-1100 nm(R>99.9%)区域具有高反射率,在800-1000 nm(R<5%)的范围内具有高透射率。C1能够确保直接记录泵后面的未吸收泵浦功率的激光效果。经过C2的光通过GTI1和GTI2,GTI1和GTI2(来自LAYERTEC GmbH)是用于腔内色散补偿的Gires Tournois干涉仪镜,能够补偿−550 fs2和−800 fs2每个反弹光的色散(GDD)。C3是一面具有300 mm的曲率半径(ROC)的凹面镜,在1020-1100纳米区域涂有高反射率涂层(R>99.9%)。最后经过HR是一个具有高反射率的平面反射后由C1射出。射出的光大约1020-1100 nm经过具有10%的透射率楔形输出耦合器(OC)。OC的轻微楔入有助于避免干扰模式锁定来自背面反射。CW运行时的光束束腰半径(忽略计算了Yb:YSO晶体中心的克尔透镜效应(Kerr透镜效应)为31×36μm(1/e2))基于大于聚焦泵浦光的矩阵ABCD,会轻易的形成一个软孔。总腔长约为1093mm,重复频率为137.2 MHz。这种飞秒激光器测量也是研发过程中的一个重要问题。
为了检测飞秒激光光束质量,在测量输出激光的空间分布时,采用了多轴刀口式光斑分析仪(Beam Analyzer USB, Duma Optronics Ltd.)进行飞秒激光器测量。如图 3(b) 所示,其中对角线标记为 V 和 W是沿其行进和测量的轴。飞秒激光光束轮廓具有椭圆形轮廓,这是由于两个折叠的凹面镜的散光原因造成的。此外,水平和垂直的两个方向上光斑大小分别为 625 μm 和 1340 μm (1/e2水平)。
此外通过光束轮廓和锁模能够展示不同泵浦功率下的性能。在描绘飞秒激光光束轮廓图时,用到了以色列杜马光电(Duma Optronics)Beam Analyzer USB, 该仪器能够层析图像重建2D/3D图像,测量光束剖面,光束尺寸,形状,位置和能量。而且配有专用软件,光斑分析采样器,光纤适配器,以及连接线,能够实现即插即用的快捷使用方式。能够测量的光谱范围是800-1800nm,光斑直径3-5um,分辨率高,精度也准确,在目前高校研究所的研究中被广泛应用。并且这款刀口式光束分析仪还可以选择带有LCD 7英寸宽触屏移动端的特殊型号,无需链接电脑,由触摸屏移动端操作仪器的运行,内置运行程序及软件,移动端触摸屏分辨率800*400,对比度350:1,windows 7 pro,4Xrs-232、2xLAN端口的工业设备。以下是刀口式光斑分析仪Beam Analyzer规格参数:
激光类型 | CW |
光束宽度分辨率 |
光束直径>100μm:1μm 光束直径<100μm:0.1μm |
光束尺寸 |
3µm-5mm for BA3-Si and BA3-UV 15µm-10mm for BA7-Si and BA7-UV (Oval) 15µm-9mm for BA7-Si and BA7-UV (Round) 3µm-3mm for BA3-IR3 and BA3-IR3-E 15µm-3mm for BA7-IR3 and BA7-IR3-E 3µm-5mm for BA3-IR5 15µm-5mm for BA7-IR5 15μm-9mm for BA7-IR10 |
光谱响应 |
Si :350-1100nm UV-Si :190-1100nm IR :800-1800nm IR Enhanced (E): 1200-2700nm |
传感器有效探测面积 | ⌀3-⌀10 |
刀口数 | 3刀口(BA3)或7刀口(BA7) |
增益 | 自动控制 |
帧数 | 5 fps |
功率范围 | 10μW~5mW(无衰减) |
传感器类型 |
Silicon (Si), UV-Silicon (UV-Si) InGaAs (IR) IR Enhanced (IRE) |
光束宽度精度 | ±2% |
功率精度 | ±10% |
位置精度 | 1μm |
像素尺寸 | 根据光束尺寸自适应 |
像素位置深度 | 12 bits |
尺寸(mm) | 105×87×35(探测器) |