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FEMTO锁相放大器

FEMTO锁相放大器

FEMTO锁相放大器德国FEMTO 是低噪声放大器模块的制造商,拥有广泛多样化的产品基础和不断扩大的市场。FEMTO成立于 1995 年,其使命是开发“用于信号恢复的精密工具”其产品范围广泛,包括电流放大器、电压放大器、锁定放大器和光接收器。 Femto主要产品线:低噪声前置放大器、锁相放大器、光接收器;主要客户:光子和电子行业、大学、科研、院所和研究实验室;主要客户应用:光谱学、光子学、表面分析、质量检测、过程控制、激光物理、超灵敏测量;定制设计产品:光接收器、多通道放大器系统、放大器子系统。    锁相放大器系列 LIA-MV(D)-200 特征 单相和双相 坚固的铝制外壳 用于输入和输出信号的 BNC 连接器 工作频率 5 Hz 至 120 kHz 移相器 0° ......

Maybell稀释制冷机The Fridge

Maybell稀释制冷机The Fridge

Maybell稀释制冷机The Fridge无忧的性能,因此您可以专注于创新从头开始重新设计,冰箱支持增加的量子比特数量和无与伦比的性能,占用空间大幅减小。 尖端的专有技术推动了冰箱的出色可靠性、灵活性和用户体验。而且,在基本温度低于 10 mK 的情况下,美铃冰箱甚至超过了最苛刻的性能标准。 冰箱打开了低温新时代的大门。    Maybell稀释制冷机The Fridge 一流的可靠性 经过几十年的设计、使用和维护稀释冰箱,我们了解它们是如何失效的。我们设计的冰箱可以消除停机、维护和故障的关键原因。 不再需要涡旋泵:我们用微型罗茨鼓风机取代了维护繁重、容易出现故障的循环涡旋泵,可提供数十年的免维护运行。...

Swabian Instruments时间相关单光子计数器Time Tagger

Swabian Instruments时间相关单光子计数器Time Tagger

Swabian Instruments时间相关单光子计数器Time TaggerTime Tagger 系列为单光子计数提供了无穷无尽的功能,您可以毫不费力地释放它们。无论您是使用 Time Taggers 自带的强大软件,还是使用 Python、Matlab、LabVIEW 或 C#/C++ 这些编程语言 - 您都可以在几分钟内启动并运行您的实验。    Time Tagger Series流式时间数字转换器 时间相关单光子计数的新标准。 Time Tagger 系列为单光子计数提供了无穷无尽的功能,您可以毫不费力地释放它们。无论您是使用 Time Taggers 自带的强大软件,还是使用 Python、Matlab、LabVIEW 或 C#/C++ 这些编程语言 -...

MBE-Komponenten标准MBE系统-OCTOPLUS 500

MBE-Komponenten标准MBE系统-OCTOPLUS 500

MBE-Komponenten标准MBE系统-OCTOPLUS 500OCTOPLUS 500 MBE系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发专业分子束外延系统。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。标准的OCTOPLUS 500有11个呈放射状分布的源孔,可以根据需要增选3个源孔。    基于于团队成员的多年研发经验,我们发展和制造了OCTOPLUS 500 MBE系统及各种功能的源炉。每个产品都是由MBE专业人才进行组装和测试的。 OCTOPLUS 500 MBE系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。OCTOPLUS...

MBE-Komponenten紧凑型MBE系统OCTOPLUS 300

MBE-Komponenten紧凑型MBE系统OCTOPLUS 300

MBE-Komponenten紧凑型MBE系统OCTOPLUS 300OCTOPLUS 300 紧凑型专业分子束外延系统,适合小尺寸样品的基础表面物理和材料科学研究,可以装配各种源炉,实现不同材料分子束外延生长,应用于III/V族, II/VI族,单质金属,磁性材料,拓扑绝缘体,二维纳米材料等材料生长OCTOPLUS 300是一款多用途且功能完善的紧凑型MBE系统,非常适合小尺寸样品的薄膜材料生长。设计虽然紧凑,但是可以装配多个不同种类源炉,实现各种材料的外延薄膜生长。 MBE-Komponenten紧凑型MBE系统OCTOPLUS 300特点: 紧凑、多功能的研究 MBE 系统,占地面积小 应用:II-VI、III-V、IV-IV、金属、磁性材料、拓扑绝缘体、纳米线生长、氧化物、有机材料 9...

Sentech等离子刻蚀机SI 500

Sentech等离子刻蚀机SI 500

Sentech等离子刻蚀机SI 500SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA,动态温度控制的衬底电极,全自动控制的真空系统,使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。  Sentech等离子刻蚀机SI 500 低损伤刻蚀 由于离子能量低,离子能量分布带宽窄,因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀 对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀,光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源...

Sentech原子层沉积ALD设备

Sentech原子层沉积ALD设备

Sentech原子层沉积ALD设备SENTECH原子层沉积设备实现了热ALD和等离子体增强ALD操作。ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD,SENTECH提供等离子体沉积技术,用于从纳米尺度沉积到数微米的薄膜沉积。    Sentech原子层沉积ALD设备 原子层沉积(ALD)是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积(PEALD)是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。...

Picosun原子层沉积PICOSUN Morpher F ALD

Picosun原子层沉积PICOSUN Morpher F ALD

Picosun原子层沉积PICOSUN Morpher F ALDPICOSUN® Morpher F ALD产品平台旨在颠覆Beyond and Beyond Moore技术的高达200毫米晶圆行业。它能够以领先的工艺质量、可靠性和操作敏捷性快速、全自动、高吞吐量生产 MEMS、传感器、LED、激光器、电力电子、光学器件和 5G 组件。    Picosun公司是一家全球公司,一直致力于为行业提供最先进的ALD(原子层沉积)薄膜涂层解决方案。借助Turn-key类型的生产流程和无与伦比的开创性专业知识(可追溯到ALD技术的被发明),Picosun公司的ALD解决方案不断为市场和客户带来未来的技术方案。PICOSUN ®ALD设备已在世界各地的许多领先行业中投入日常生产使用。...

Picosun原子层沉积PICOSUN Sprinter ALD

Picosun原子层沉积PICOSUN Sprinter ALD

Picosun原子层沉积PICOSUN Sprinter ALDPICOSUN® Sprinter ALD 系统旨在中断半导体(例如新兴存储器、晶体管、电容器)、显示器和物联网组件行业中 300 毫米生产线的批量 ALD 生产。在 Sprinter 中,势垒、高 k 氧化物和其他薄膜以完美的 ALD 大量沉积。 全自动、经 SEMI S2/S8 认证的 PICOSUN® Sprinter...

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

TSST大面积脉冲激光沉积/激光分子束外延系统大面积PLD,大面积LMBE,荷兰TSST公司开发的大面积脉冲激光沉积系统,可实现晶圆级薄膜外延生长。 荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统,在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击,利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来,再沉积在不同的衬底上,从而形成薄膜。荷兰Twente Solid State Technology BV(TSST)公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统(PLD),以及相关薄膜制备解决方案,公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。 TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作,开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。...

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统

TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。 荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统,在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击,利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来,再沉积在不同的衬底上,从而形成薄膜。TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统 产品描述:荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。 荷兰Twente Solid State Technology BV(TSST)公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统(PLD),以及相关薄膜制备解决方案,公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。...

WEP电化学ECV掺杂浓度检测CVP21

WEP电化学ECV掺杂浓度检测CVP21

WEP电化学ECV掺杂浓度检测CVP21德国WEP公司的CVP21电化学C-V剖面浓度测试仪可高效、准确的测量半导体材料(结构,层)中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀,从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。电化学ECV剖面浓度测试仪主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。CVP21电化学C-V剖面浓度测量仪适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上,例如:硅、锗、III-V族化合物半导体(如GaN)。...

Sinton少子寿命测试仪WCT-120测试硅片

Sinton少子寿命测试仪WCT-120测试硅片

Sinton少子寿命测试仪WCT-120测试硅片硅片测试仪器提供了对载流子复合寿命进行校准分析的现有最佳技术。完全遵从 SEMI 标准 PV-13。 WCT-120 是放置在桌面上的硅片寿命测量系统,适用于器件研究和工业过程控制,价格实惠。WCT-120MX适用于测试230 mm的大硅片。       WCT-120/WCT-120MX: 硅片寿命的标准离线测试工具 硅片测试仪器提供了对载流子复合寿命进行校准分析的现有最佳技术。完全遵从 SEMI 标准 PV-13。 WCT-120 是放置在桌面上的硅片寿命测量系统,适用于器件研究和工业过程控制,价格实惠。WCT-120MX适用于测试230 mm的大硅片。   产品概述 WCT-120和WCT-120MX...

Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400

Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400

Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400   BLS-I和BCT-400测量系统可以直接测量单晶或多晶硅锭或硅砖的寿命,而无需进行表面钝化。由于寿命测试是表征晶体生长和杂质缺陷最灵敏的技术之一,使用该系列产品,您可以在晶体长成后立刻对晶硅质量进行评估。 Sinton BCT-400是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。     Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400: 优越的硅锭测试仪器...

Plassys磁控溅射镀膜系统

Plassys磁控溅射镀膜系统

Plassys磁控溅射镀膜系统磁控溅射镀膜仪是一种普适的薄膜沉积系统,用于各种单层膜、多层膜以及掺杂薄膜的制备。磁控溅射沉积薄膜的特点是成膜速率高、基片温度低、薄膜与基底的粘附性好,而且可实现大面积镀膜。磁控溅射仪可以生长Ag、Pt、Au等金属薄膜及合金薄膜、半导体薄膜、介质薄膜等,用于新型薄膜材料和微纳器件的制备。 Plassys磁控溅射镀膜系统 溅射系统 高压/特高压 所有类型的机器 圆柱形或平行六面体腔室,带前门或顶盖 标准腔室:直径 350、400、450、600、900 mm 单晶圆或暗盒负载锁定 矩形或圆形直流和射频阴极 溅射上/下配置 用于共聚焦系统的簇,真正的共溅射 反应和非反应溅射 静态或动态沉积,行星和双行星旋转,振荡 沉积前和沉积期间基板上的射频偏置...

Plassys微波等离子化学气相沉积系统MPCVD

Plassys微波等离子化学气相沉积系统MPCVD

Plassys微波等离子化学气相沉积系统MPCVDSSDR 150 是一种微波等离子体辅助 CVD (MW-PACVD) 反应器,专门用于金刚石薄膜和宝石合成。作为彻底研发工作的丰硕成果,该反应器使用高功率密度等离子体以高生长速率提供高纯度金刚石薄膜。由于其优化的微波和等离子体设计,SSDR 150反应器是一种可靠而坚固的设备,完美地适应了研发实验室和工业的需求。SSDR 150 易于清洁和更换的钟形罐配置使它特别适用于掺杂金刚石薄膜。 MW-PACVD 的钻石增长 SSDR 150 是一种微波等离子体辅助 CVD (MW-PACVD)...

Plassys电子束蒸镀系统

Plassys电子束蒸镀系统

Plassys电子束蒸镀系统电子束蒸镀仪是纳米器件制备中必不可少的仪器,用于蒸镀各种高纯金属薄膜,如Ti, Au, Ni, Cr, Al, Al2O3等。电子束蒸发沉积法可在同一蒸发沉积装置中安装多个坩埚,使得可以蒸发和沉积多种不同的高质量金属薄膜。开展量子计算机实验研究,如基于金刚石NV色心,离子阱,超导量子结,量子点电子自旋的研究     电子束蒸镀仪是纳米器件制备中必不可少的仪器,用于蒸镀各种高纯金属薄膜,如Ti, Au, Ni, Cr, Al,...

Ionplus放射性碳定年小型加速器质谱系统MICADAS 200kV

Ionplus放射性碳定年小型加速器质谱系统MICADAS 200kV

Ionplus放射性碳定年小型加速器质谱系统MICADAS 200kVIonplus旗舰AMS系统的最高性能:迷你碳测年系统MICADAS是适用于您的¹⁴C应用的真正精密仪器。凭借其永磁体和新设计,MICADAS也是世界上最节能的AMS,基础设施要求最低。Ionplus放射性碳定年小型加速器质谱系统MICADAS 200kV Ionplus旗舰AMS系统的最高性能:迷你碳测年系统MICADAS是适用于您的¹⁴C应用的真正精密仪器。凭借其永磁体和新设计,MICADAS也是世界上最节能的AMS,基础设施要求最低。...

Ionplus多核素低能量小型加速器质谱系统 (10Be,14C, 26Al, 41Ca,129I, 236U) MILEA 300kV

Ionplus多核素低能量小型加速器质谱系统 (10Be,14C, 26Al, 41Ca,129I, 236U) MILEA 300kV

Ionplus多核素低能量小型加速器质谱系统 (10Be,14C, 26Al, 41Ca,129I, 236U) MILEA 300kV在合作中,Ionplus和苏黎世联邦理工学院开发了下一代低能量多同位素AMS系统:MILEA。新仪器涵盖¹⁰Be,¹⁴C,²⁶Al,⁴¹Ca,¹²⁹I,U,Pu和其他锕系元素,将MICADAS的成熟加速器和离子源技术与ETH“TANDY”仪器的高能光谱仪布局的成熟概念相结合。Ionplus多核素低能量小型加速器质谱系统 (10Be,14C, 26Al, 41Ca,129I, 236U) MILEA 300kV...

Ionplus多核素(10Be,14C,26Al) 低能量小型加速器质谱系统MILEA light 300kV

Ionplus多核素(10Be,14C,26Al) 低能量小型加速器质谱系统MILEA light 300kV

Ionplus多核素(10Be,14C,26Al) 低能量小型加速器质谱系统MILEA light 300kVMILEA 灯设计用于 ¹⁰Be、¹⁴C 和 ²⁶Al的最高性能测量。它是 MILEA 的更简单、更小、更实惠的替代品,也是您在地质学和所有放射性碳研究中要求苛刻应用的完美仪器。紧凑型轻型版本主要基于MILEA原理,在低能量侧没有ESA,并通过90°磁性,110°静电和另一个110°磁性偏转器优化了高能量设置。 Ionplus多核素(10Be,14C,26Al) 低能量小型加速器质谱系统MILEA light 300kV Ionplus AG开发MILEA Light低能量多同位素加速器质谱仪。MILEA light...