解决方案

MRC-Systems主动激光束稳定 激光束的调整、稳定、定位和对准 紧凑型激光稳束系统适用于各种需要精确和可靠的激光定位的应用场合。它稳定了光束的位置和方向。模拟实时闭环控制可对热漂移、振动或其他影响引起的所有类型的偏差进行无延迟补偿。它还可以有效地抵御高频干扰，如空气波动、振动或由移动光学引起的干扰。它能确保非常稳定的光束位置和角度。 产品优势 主动闭环控制：确保在特定位置和方向上精确稳定激光束。 模拟系统核心可实现最高控制性能和最低相移：集成读出电子的组件允许进行精确控制。 无需数字化步骤即可获得最高分辨率 无需用户交互，无需计算机 USB 接口（以太网、RS-232）和可用软件 连续波和脉冲激光器的精确定位 也适用于超短脉冲激光器（ps、fs） 提供 OEM 版本 卓越的性价比：附加功能包括灵活的信号放大、方向编码、开机活动延迟、安全关闭，以及位置、强度和功率水平的显示。 LED显示：在检测器外壳上指示总功率和当前激光束位置。 技术规格 不同型号的探测器和反射镜安装有单独的数据表 工作原理： 优化过的快速压电镜架被用来控制激光束。光束的理想位置和角度由一个或两个探测器（4 象限二极管或...

高功率激光在工业、医疗、科研、军事国防等领域得到了广泛应用。在工业加工领域，有比较多的特殊形状要求的高精度要求的零部件。在加工这些零部件时，对切割和焊接接触面的要求极为严格。所以如何选择大功率光斑分析仪严格把握激光的状态非常重要。所以，用高功率光束质量分析仪对高功率的激光进行连续光和脉冲光光斑分析，测量光束质心位置等都是有现实需求的。但是Duma有不同型号的高功率光斑分析仪，Duma高功率光斑分析仪如何选型就成为了一个问题，本文给出了高功率光束质量分析仪选型指导 Duma。 Duma高功率光斑分析仪如何选型呢？大部分市面上的高分辨率光斑分析仪都采用的是硅基或者InGaAs的探测器，高分辨率光斑分析仪的内置探测芯片本身对于功率承受的阈值较低，不能直接探测工业加工领域常用的KW级的激光。Duma为了满足相关领域的应用需求，专门推出了可以承受高功率版本的大功率光斑分析仪，高分辨率光斑分析仪可以进行连续光和脉冲光光斑分析，测量光束质心位置，也有专门的大功率CMOS光斑分析仪可以测激光的发散角和M2。 高功率相机型光斑分析仪Model BeamOn U3E-HP- VIS NIR 高功率光斑分析仪的主要特点： -探测波段覆盖可见光到近红外 -最高可承受千瓦级的功率 型号 BeamOn...

 MENHIR-1550系列  实现大型科学应用中飞秒级时间同步的光学突破 “在大型科学应用中，精确的时间同步不仅是一项挑战，也是实现突破性科学成果的关键。在粒子加速器、射电望远镜阵列，以及各种前沿的物理实验中，每一个组件的时间同步都必须精确到飞秒级。这种极端的精度确保了实验结果的准确性和可靠性，从而使科学家能够探索自然界最微小和最快速的现象。” 粒子加速器 粒子加速器是现代物理研究的基石，它们通过加速并碰撞粒子来探索物质的基本构成。这些设施中的每一个组件，从注入系统到束线，都需要极端精确的时间同步来确保实验的准确性。 射电望远镜阵列 射电望远镜阵列依赖精确的时间同步来协调多个望远镜的观测数据，这对于深入理解宇宙结构和起源至关重要。 在这两种应用中，任何时间偏差都可能导致实验结果的不准确，从而阻碍科学发现的进程。这些应用场景要求每个组件的时间同步必须达到飞秒级，以保证实验数据的准确性和可靠性。例如，粒子加速器中的高精度时间同步直接关联到实验的成功，而射电望远镜阵列需要极高的时间同步精度来精确对准多个望远镜。 面对这一挑战，Menhir...

Lexitek的湍流相位板主要用于自适应光学（AO）系统工程。 由于波前传感器和可变形镜的自由度相当昂贵，而影响大多数系统性能的主要是波前像差，尤其对于大气传播。 设计，测试和验证AO系统性能的最准确方法是在实验室中使用充分表征的波前像差的仪器。 Lexitek的Near-Index-Match™伪随机相位板为AO系统工程师提供了这种工具。 具有不同强度的多相板可以模拟湍流层的分布，每个湍流层具有随机变化。 Lexitek湍流相位片，大气湍流相位板主要参数确认： 1，尺寸：大部分推荐83mm整个圆片，也可以刻圆环。 Standard Annulus 83mm OD 34mm ID  标准尺寸，价格稍微便宜 Full Circle 83mm    推荐尺寸，整圆刻结构 Full Circle 92mm    特殊尺寸，价格较贵 Annulus 92mm OD 25mm ID  特殊尺寸，价格较贵 2，大气相关长度r0需求。一般r0在0.3-5mm之间 the r0 values you quoted are for the 'real-world' experiment. The r0 values in the laboratory simulation are smaller. Our...

一、化学气相沉积（CVD） 1.原理：化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。 2.过程：化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。 3.化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下： （1）沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。 （2） CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。 （3）能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。 （4）由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。 （5）利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。 （6） 设备简单、操作维修方便。 （7）...

气源分子束外延GSMBE、高真空化学气相沉积HVCVD 金属有机物分子束外延MOMBE、激光辅助沉积、化学束外延 融合了MBE和CVD优点，适合生长III-V族半导体薄膜，可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉积, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。 A – 高真空化学气相沉积系统由下列基本单元组成: 1.       热漆外框架和挡板 2.       含液氮冷阱的温控反应腔体 3.       样品台和衬底加热系统用于4’’或6’’晶圆. 4.       真空系统，包括阀和测量仪表 5.       全自动真空进样室（load-lock） 6.       专用扩散源（数量可选、组合方式可选） 7.       控制面板（操作软件） 8.       激光辅助沉积（可选）   1         热漆外框架和挡板 ·         工业外框架容纳整套设备基本单元，4个角减震器能减小外部震动对设备操作影响和保证低磨损...

金属膜、氧化膜、分子束外延、MBE、化学束外延、CVD、激光辅助，GSMBE、MOMBE、半导体膜、氧化膜、III-V族、 气源分子束外延， InAs/GaAs量子点激光器、GeSi/Si、GaN、InGaAs/InGaAsP   化学束外延生长法（Chemical Beam Epitaxy）是在分子束外延（MBE）和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的，通常用激光辅助化学束沉积方法可以制备各种半导体膜材、氧化物膜材。   化学束外延生长系统   化学束外延 （Chemical Beam Epitaxy）融合了分子束外延(MEB)和化学气相沉积(CVD)优点，可以用来生长III-V族半导体薄膜，也可以用来沉积Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜，以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。CBE已经显示出非常显著的优越性，例如：   •    可控沉积和多元（3-5元、6元）掺杂、例如沉积GaAsInP；成分和厚度均匀性高（2% @直径300mm，无衬底旋转）；...

化学束外延起源于上个世纪80年代，它结合了分子束外延（MBE）和化学气相沉积（CVD）技术的优点，适用于生长III-V族半导体薄膜，也可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉积, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。 化学束外延借用CVD（反应前驱体分子通过气相传输到加热衬底上）及MBE（前驱体流分子束本质——分子轨迹视线）的概念。一般说来，化学束外延的真正价值在过去并未得到承认，大多数熟悉这种技术的人都发现化学束外延很复杂，并且上世纪90年代化学束外延的各种优势的结合未被完全挖掘，而这种结合却是现在制造复杂设备的关键所在。目前，我们代理的设备是经过20年的持续不断研发，将设简单易用、工艺优化、所有的优点和设施集中于一套可靠的设备中。        实验证明化学束外延具有显著的优点，例如： •    可控多元素材料沉积及掺杂，例如GaAsInP •    6’’衬底均匀性：无旋转+/-1.5%，旋转+/-0.5%                     •    沉积大面积薄膜：直径100mm - 450mm或更大...

多元素大面积薄膜沉积                      化学束外延技术中最重要的是识别合适的化学前驱体，因为化学束外延最佳工艺条件与其他采用化学前驱体的典型技术（例如CVD, ALD）不同。目前已经发现了一些合适当前化学束外延工艺水平的前驱体，并且大多数前驱体已经用于工艺条件优化研究。上图显示了适用化学束外延前驱体的各种元素，但该图罗列可用元素并不详尽，还有更多合适的前驱体。识别合适的前驱体主要困难与他们的高分解温度和强挥发性有关。与高压工艺不同，前驱体分子仅撞击衬底一次，而通过束辅助工艺提供额外的能量来分解前驱体分子同时保持衬底冷却（不过热），可以用来克服上述缺点。     高（均匀）撞击率 化学束外延主要优点在于控制和预测能力。采用蒙特卡洛仿真和数学模型，可以计算化学前驱体在衬底表面分布和撞击率来实现均匀沉积和复杂梯度样品。正如图中实验数据和模型比较所示：左上图显示均匀厚度薄膜模型；右上图显示理论曲线（虚线）vs 实验数据（蓝点）；下图显示2个直径150mm 硅晶圆呈现的均匀颜色相当于均匀光学厚度。多个专利即将改善effusing...

石墨靶制备是加速器质谱仪放射性碳年代学测量中的关键步骤之一。瑞士Ionplus AG公司生产的AGE3全自动石墨化系统，其技术源于瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH Zurich）离子束物理实验室（LIP），全球主要国家放射性碳加速器质谱仪实验室均有安装，目前包括：美国、英国、法国、德国、瑞士、西班牙、匈牙利、瑞典、罗马利亚、墨西哥、印度、波兰、立陶宛、土耳其、韩国、俄罗斯、比利时、中国等国家。 主要应用： 考古样品: 结合古气候学和放射性碳校正，通常需要高精度、高重现性及可靠性 材料科学：生物燃料和植物材料鉴定越来越重要，一体化解决方案同时分析14C和δ13C 环境科学: 提供仪器解决方案用于碳循环到生物地球化学研究的微量样品测量...