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3分钟了解集成电光频率梳

刘鹏飞1,任麟昊1,闻浩1,施雷1,2,张新亮1,2,3

 

1. 华中科技大学 武汉光电国家研究中心

2. 湖北光谷实验室

3. 西安电子科技大学
光学频率梳(光频梳)是由一系列离散且等间隔分布的频率成分所组成的光谱结构。国际上首个光频梳由Hargrove等人在锁模激光器中实现,并在其后获得了长足发展,极大推动了精密测量科学。因在频率精密测量方面所作出的贡献,John Hall和Theodor W. Hänsch共同获得了2005年诺贝尔物理学奖。
光频梳作为光谱分析的天然刻度尺,已广泛应用于光谱学、精密测量、光通信、传感等领域。不同的应用对光频梳有不同的性能要求,如梳齿功率、梳齿间隔、光谱宽度、工作波段等。
光学频率梳的类型

 

光频梳根据其产生技术可分为:基于锁模激光器的光频梳、克尔微腔光频梳、电光频率梳(电光梳)。

锁模激光器是用于光频梳产生的初始平台。当多纵模激光器稳定运行工作时,谐振腔内存在多个循环往复的脉冲,光在腔内的往返时间决定了脉冲间隔。对脉冲串进行傅里叶变换,相应频域上会出现一系列等间隔的频率成分,即光频梳。锁模激光器能够产生高功率宽带光频梳,但梳齿间隔通常难以调谐,同时系统相对复杂。

利用光学微腔同样能够产生光频梳,该方法一般采用单模激光与微腔耦合以激发微腔中的非线性效应。克尔微腔光频梳可具有较宽的光谱、良好的相干性、高集成度,是构建光电集成芯片的重要部分。但克尔光频梳形成机理较为复杂,实现孤子光频梳还需要精细的频率调谐手段,且梳齿间隔受制于微腔结构,难以有效调谐。图1给出了用于光频梳产生的典型锁模激光器与克尔微腔结构。

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图1 光学频率梳产生方案示意图。(a) 典型的自启动光纤锁模激光器;(b) 基于微环谐振腔中克尔效应的片上光频梳

 

电光梳由于其频率间隔可调、梳齿功率较高、可实现微波到光波的转换等优势,得到了充分发展。但传统电光梳产生器件体积较大、功耗较高,这限制了其进一步应用。

随着微纳加工技术的不断发展,越来越多的光电器件能够在集成光学平台上实现,而集成电光梳器件由于其优异的性能及功耗低、体积小等诸多优势,成为光电集成芯片中的重要器件,引起了研究人员的极大兴趣。图2展示了一种集成电光梳产生器件。目前,集成电光梳已在多个材料平台上实现,如铌酸锂、磷化铟、硅基等,且能基于不同调制结构产生,如单个相位调制器、多调制器级联等。

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图2 集成电光频率梳产生方案示意图
产生集成电光频率梳的材料平台

 

 LNOI 

 

铌酸锂(Lithium niobite, LiNbO3,LN)晶体具有许多优势,包括很强的电光效应(1500 nm处r33=27 pm/V)、 较大的折射率(1550 nm处no=2.21, ne=2.14)及较宽的透明窗口(400 nm~5 μm)、多种非线性效应及稳定的物理化学性质,这使得铌酸锂成为最早实现电光梳的平台之一

 

随着近年来微纳加工技术的不断发展,应用于硅薄膜的Smart-cut技术逐渐适用于铌酸锂平台,能够获得高性能的铌酸锂薄膜(Lithium niobite on insulator,LNOI),使得电光梳能够实现片上集成化,从而达到低功耗、小型化的要求。图3展示了制作铌酸锂薄膜的Smart-cut工艺流程。

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图3 铌酸锂薄膜晶圆的Smart-cut工艺流程图

 

目前,性能优异的电光梳已基于LNOI平台实现,如基于微环谐振腔与相位调制器的电光梳、基于法布里-珀罗谐振腔(Fabry–Pérot cavity,FP腔)的电光梳、平顶电光梳、中红外电光梳等,这些电光梳具有可调谐性、驱动电压小、光谱宽、光谱平坦等优势。

 InP 

 

磷化铟(Indium Phosphide,InP)作为一种重要的III-V族半导体材料,其以纤锌矿和闪锌矿两种晶体形式存在,在室温下分别具有1.42 eV与1.35 eV的直接带隙,是实现集成光电芯片的重要材料平台。目前,在InP平台上已实现了多种集成光学有源器件,如激光器、光电探测器、光放大器、调制器,这为基于InP平台的电光梳产生奠定了基础。

 

Andriolli等人实现了首个基于InP级联调制器的集成电光梳产生器件,该器件具有5 dB/cm的波导损耗和极高的集成度,在4.5 mm×2.5 mm的芯片上集成了DBR激光器、强度调制器、两个相位调制器及光放大器,如图4所示。

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图4 InP集成电光梳产生器件。(a) 器件结构示意图;(b) 所制作的光梳产生器的光学显微照片(面积:4.5 mm×2.5 mm);(c) 集成光子芯片-印刷电路板共封装
 SOI 

 

硅(Silicon,Si)材料具有非常优异的光学性质,折射率高(n=3.45)、热导率大、具有极高的光学损伤阈值,透明窗口宽(1.1~7 μm)且具有较强的三阶非线性光学效应,使其成为理想的光学材料。再加上片上集成工艺成熟、价格低廉,Smart-cut技术的应用使得硅薄膜 (Silicon on insulator,SOI)的厚度极大减小,提升了硅基集成光子芯片的集成度,使其成为集成光子学中的重要平台。

 

硅材料作为Oh点群材料中的一员,具有反演对称性,在偶极近似条件下,其二阶非线性极化张量为零,即硅不具有包括倍频、差频及线性电光效应在内的二阶非线性光学效应,这限制了硅基电光调制器的发展应用。

研究人员发现,通过对硅施加电场可以打破硅的反演对称性,从而使其具有场致倍频效应。进一步研究表明硅材料表面的内建电场还能令硅产生包括线性电光效应在内的其它二阶非线性光学效应,使得基于SOI平台实现电光梳成为可能。

目前SOI平台上已实现了性能优异的电光梳,且在光通信、微波光子学及双光梳探测等领域获得了广泛应用。如基于PIN相位调制器的平坦宽带电光梳、基于微环谐振腔调制器(Microring resonator modulator,MRM) 的平顶电光梳、基于级联MZM的集成电光梳等,可应用于波分复用系统中(Wavelength Division Multiplexing,WDM)。图5给出了基于级联MZM的集成电光梳产生器件的示意图。

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图5 基于级联 MZM的集成电光梳产生器件示意图。(a)级联MZM光梳产生方案示意图,插入图为MZM调制臂的横截面示意图;(b) 包含9根梳齿的输出光谱;(c) 实验测得时域Nyquist脉冲;(d) 实验测得Nyquist脉冲(红色实线)与理论计算脉冲(黑色虚线)的对比结果
SOH 

 

除了上述材料平台,电光梳还在硅-有机材料混合(Silicon-organic hybrid,SOH)平台上实现了集成化,并有望应用于其它III-V族材料。其中,Weimann等人在基于SOH平台的集成电光梳方面取得了一系列研究成果,其利用双驱动MZM实现了频率间隔为40 GHz的平顶电光梳,输出光谱在2 dB范围内包含7根梳齿,并成功将其应用于光通信中。

 

总而言之,许多能够应用于传统电光梳的材料平台,由于材料特性的限制而无法满足高度集成化及高性能要求,使得集成电光梳无法在多材料平台上实现,目前基于多材料平台的集成电光梳研究仍有待进一步突破。
集成电光频率梳的应用

 

1

 

光通信

 

目前随着大数据、自动驾驶及5G通信的快速发展,人类在信息时代中突飞猛进,这要求通信网络拥有更为短暂的延迟及更大的信息传输容量。WDM技术即在光纤中同时传输多个波长的载波,在接收端将对各频率分量进行数据读取,从而极大提升了光通信系统的传输容量。

光频梳中的梳齿等间距分布,且具有良好的相干性,是WDM系统中的理想多波长源,在大容量光通信中存在巨大的应用潜力。集成光频梳由于其性能优异、集成度高、功耗低等优势,被认为是未来光通信中的重要技术,目前研究人员利用集成电光梳已实现了大容量、宽带宽及多波段的光通信应用。

2

 

双光梳光谱学

 

双光梳光谱学(Dual-comb Spectroscopy,DCS)采用两组具有微小频率差的光频梳,在接收端进行相干脉冲序列间的异步光取样,从而实现光谱信息的分析与测量,其具有光谱覆盖范围广、灵敏度高、分辨率高、响应时间短及精度高等诸多优势,是精密激光光谱领域的重要技术。

随着集成光频梳的快速发展,双光梳光谱探测系统的体积、功耗及信噪比等指标参数都得到了显著提升。集成电光梳的可调谐性及频率间隔小等特点,能进一步改善双光谱探测的分辨率与灵活度,因此集成电光梳也成为了当下该领域的研究热点。

Amirhassan等人利用基于LNOI平台的微环电光梳实现了标准大气压下高信噪比的乙炔吸收光谱探测。Deniel等人则首次基于硅基电光梳实现了1 GHz分辨率与超过25 GHz带宽的双光梳探测。Betancur-Pérez等人实现了基于InP平台的THz双光梳探测装置,该装置同样能够应用于THz领域或光通信系统。
集成电光梳面临的挑战

 

尽管集成电光梳研究取得了一系列重要进展,但目前仍存在许多尚未解决的问题:

1)基于InP平台虽然能够实现激光器、调制器、光放大器等多种器件集成,但基于InP平台的电光梳梳齿功率仍较低,存在提升空间;

2)基于SOI平台的电光梳具有良好的平坦度,但尚未实现多梳齿光梳,且目前同样无法实现片上集成的高功率电光梳;

3)基于LNOI平台已实现了高性能的片上电光梳,是当前构建集成电光梳的理想平台,有望进一步在LNOI平台上集成多种光电器件,得到集成度更高的电光梳产生系统以应用于复杂多变的外部环境。同时,随着异质集成技术的不断发展,集成电光梳有望基于多材料平台实现,这将进一步拓展集成电光梳的功能和应用领域。

作者简介

 

刘鹏飞,男,华中科技大学武汉光电国家研究中心硕士研究生,主要从事集成电光频率梳方面的研究。

 

施雷,男,华中科技大学武汉光电国家研究中心教授、博士生导师,主要从事超高品质因子微腔光子学和集成光子学方面的研究。

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